[发明专利]用于在存储介质中产生微结构的方法有效
申请号: | 200980121896.6 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102057335A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·诺埃特;罗伯特·托曼;马塞厄斯·格斯帕克;克里斯托弗·迪特里克 | 申请(专利权)人: | 蒂萨斯克里博斯有限责任公司 |
主分类号: | G03H1/02 | 分类号: | G03H1/02;G03H1/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 谢强 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及用于一种在存储介质中产生微结构的方法,其中,写入光束定向到写入轨迹上,在布置在那里的存储材料上聚焦并且相对于存储材料运动;其中,微结构通过在存储材料内逐点引入光束能量被写入到存储材料内;并且其中,将存储材料连续地或不连续地沿写入轨迹-运行方向继续运动。建议提供至少一个用于另外的存储介质的另外的写入轨迹,并且在第一写入轨迹上写入存储介质后将写入光束偏转到下一个写入轨迹上。 | ||
搜索关键词: | 用于 存储 介质 产生 微结构 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在存储介质中产生微结构的方法,其中,写入光束定向到写入轨迹上,在布置在那里的存储材料上聚焦并且相对于存储材料运动,其中,所述微结构通过在该存储材料内逐点引入光束能量被写入到该存储材料内,并且其中,将所述存储材料连续地或不连续地沿写入轨迹‑运行方向继续运动,其特征在于,提供至少一个用于另外的存储介质的另外的写入轨迹,并且在第一写入轨迹上写入存储介质后将所述写入光束偏转到下一个写入轨迹上。
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