[发明专利]偏压溅射装置无效

专利信息
申请号: 200980122366.3 申请日: 2009-06-16
公开(公告)号: CN102066602A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 菅原聡;枝并泰宏;高桥一树;熊川进;姜友松;塩野一郎;高坂佳弘 申请(专利权)人: 株式会社新柯隆
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/50;H01L21/285
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能减少附着在成膜面上的异物的发生率、具有自转公转机构的偏压溅射装置。在具备具有自转公转机构的基板支架(12)的偏压溅射装置(1)中,基板支架(12)由公转部件(21)和自转部件(23)构成,在安装于自转部件(23)上的各个基板(14)的背面侧,与基板(14)隔开0.5~10mm的位置处,设置有与基板(14)同等尺寸的圆板状基板电极(30)。
搜索关键词: 偏压 溅射 装置
【主权项】:
一种偏压溅射装置,该偏压溅射装置具备:基板支架,其具有自转公转机构,用于在真空容器内支承基板;基板电极,其设置在该基板支架侧;以及靶材,其与上述基板相对地配置,该偏压溅射装置对上述基板电极和上述靶材施加电力,在上述基板电极与上述靶材之间产生等离子体,在上述基板表面形成薄膜,该偏压溅射装置的特征在于,仅在支承在上述基板支架上的上述基板的各个背面侧,具备上述基板电极,上述基板电极与上述基板以隔开规定距离的方式配置。
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