[发明专利]辐射探测器和制造辐射探测器的方法无效
| 申请号： | 200980122524.5 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102066976A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | G·福格特米尔;C·赫尔曼;K·J·恩格尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/29 | 分类号： | G01T1/29 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种辐射探测器(10)，包括像素(1)的阵列，其中，每个像素(1)包括用于将入射辐射转换成电信号的半导体材料(4)的转换层，并且其中，每个像素(10)被至少部分填充有阻隔材料的沟槽(3)围绕，所述阻隔材料吸收所述入射辐射生成的光子的至少一部分。本发明还涉及一种制造这种辐射探测器(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 探测器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种辐射探测器(10)，包括像素(1)的阵列，其中，每个像素(1)包括用于将入射辐射转换成电信号的半导体材料的转换层(4)，并且其中，每个像素(10)被至少部分地填充有阻隔材料的沟槽(3)围绕，所述阻隔材料吸收由所述入射辐射生成的光子的至少一部分。
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