[发明专利]对浸渍光刻胶具有选择性的有机抗反射涂层蚀刻方法无效
| 申请号： | 200980123100.0 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102067290A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 海伦·H·朱;彼得·西里格利亚诺;S·M·列扎·萨贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在位于有机ARC层之下和衬底之上的蚀刻层形成蚀刻特征的方法，其中有机ARC层位于浸渍光刻用光刻胶掩模之下。将所述有所述蚀刻层的衬底、有机ARC层和浸渍光刻用光刻胶掩模放入处理室中。所述有机ARC层是打开的。所述有机ARC层打开过程包括：让有机ARC打开气体混合物流入所述处理室，其中所述有机ARC打开气体混合物包括蚀刻气体和含有CO的聚合气体；让所述有机ARC打开气体混合物形成有机ARC打开等离子体；用所述有机ARC打开等离子体蚀刻所述有机ARC层直至所述有机ARC层打开；以及在所述蚀刻层被完全蚀刻以前停止所述让有机ARC打开气体混合物流入所述处理室。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 光刻 具有 选择性 有机 反射 涂层 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种在位于有机抗反射涂层(ARC)层之下和衬底之上的蚀刻层形成蚀刻特征的方法，所述有机ARC层位于浸渍光刻用光刻胶掩模之下，包括：将所述有所述蚀刻层的衬底、有机ARC层和浸渍光刻用光刻胶掩模放入处理室中；并且打开所述有机ARC层，包括：让有机ARC打开气体混合物流入所述处理室，其中所述有机ARC打开气体混合物包括：蚀刻气体；和含有CO的聚合气体；让所述有机ARC打开气体混合物形成有机ARC打开等离子体；用所述有机ARC打开等离子体蚀刻所述有机ARC层直至所述有机ARC层打开；以及在所述蚀刻层被完全蚀刻以前停止所述让有机ARC打开气体混合物流入所述处理室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
