[发明专利]用于制备高纯度冶金级硅的方法

摘要

一种从冶金级硅开始制备用于光电用途的硅的方法，包括通过由适合于防止硅污染的材料所制成的设备所执行的以下步骤：提供具有减少的硼、磷和金属杂质含量的二氧化硅粉末和碳黑，以及接合剂；制备二氧化硅粉末、碳黑、以及接合剂的混合物，且用该混合物制备颗粒；使该颗粒进行第一热处理；使该经热处理的颗粒进行碳还原，从而获得熔融态硅；使熔融态硅进行第一提纯；使熔融态硅在定向凝固炉内进行定向凝固，从而获得用于光电用途的硅。

主权项

一种用于从冶金级硅开始制备用于光电用途的硅的方法，包括以下步骤：(a)选择(i)二氧化硅粉末，其具有的硼(B)的含量按重量计算低于0.1ppm，磷(P)的含量按重量计算低于0.1ppm，且金属杂质按重量计算不超过30ppm；(ii)碳黑，其具有的B的含量按重量计算低于0.1ppm，P按重量计算低于0.1ppm，且金属杂质按重量计算不超过30ppm；以及(iii)接合剂，其选自由蔗糖、淀粉、纤维素、聚乙烯醇、以及NaSiO3组成的组；(b)制备所述二氧化硅粉末、所述碳黑、以及所述接合剂的混合物；(c)将所述混合物制备成颗粒；(d)使所述颗粒进行第一热处理；(e)使所述经热处理的颗粒进行碳还原，从而获得熔融态硅；(f)使所述熔融态硅进行第一提纯；(g)使熔融态硅在定向凝固炉内进行定向凝固，从而获得用于光电用途的硅，并且其中，所述步骤(b)到(g)在具有由硅铝陶瓷制成的内表面的设备中执行，所述硅铝陶瓷材料具有按重量计算大于99％的二氧化硅浓度，且适合于防止硅污染。