[发明专利]电子衬底内的同心通路有效
| 申请号： | 200980123552.9 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102067305A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 阿尔温德·钱德拉舍卡朗 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在具有多个导电层的电子衬底中的多壁通路结构。所述多壁通路结构包括：外部通路，其耦合到一对所述导电层；内部通路，其位于所述外部通路内且耦合到所述同一对导电层；及电介质层，其位于所述内部通路与外部通路之间。在各种实施例中，所述对导电层可为所述电子衬底的内部导电层或外部导电层。在其它实施例中，提供一种制备多壁通路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 衬底 同心 通路 | ||
【主权项】：
一种在具有多个导电层的电子衬底中的多壁信号携载通路结构，其包含：外部通路，其用于耦合到所述衬底的一对导电层，所述外部通路形成所述对导电层之间的第一信号路径；内部通路，其位于所述外部通路内，用于耦合到所述对导电层，所述内部通路形成所述对导电层之间的第二信号路径；以及电介质层，其位于所述内部通路与所述外部通路之间。
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