[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法无效
申请号: | 200980123940.7 | 申请日: | 2009-07-08 |
公开(公告)号: | CN102067325A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 鹤我薰典;山口贤刚;吴屋真之;坂井智嗣 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;车文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供使开路电压增加并且改善n层与背面侧透明电极层或n层与中间接触层的接触性而提高形状因子的光电转换装置及其制造方法。一种在基板(1)上具备层叠p层(41)、i层(42)和n层而成的光电转换层(3)的光电转换装置(100),在该光电转换装置(100)中,所述n层包括含氮n层(43)和在该含氮n层(43)的与所述基板(1)相反一侧的面上形成的界面处理层(44),所述含氮n层(43)以1%以上且20%以下的原子浓度含有氮原子,并且结晶化率为0以上且小于3,所述界面处理层(44)为结晶化率1以上且6以下。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,在基板上具备层叠p层、i层和n层而成的光电转换层,其特征在于,所述n层包括含氮n层和在该含氮n层的与所述基板相反侧的面上形成的界面处理层,所述含氮n层以1%以上且20%以下的原子浓度含有氮原子,并且结晶化率为0以上且小于3,所述界面处理层为结晶化率1以上且6以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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