[发明专利]用于碲和硒薄膜的ALD的前体的合成和应用

摘要

提供了形成含Te薄膜的原子层沉积(ALD)方法，所述含Te薄膜如Sb-Te、Ge-Te、Ge-Sb-Te、Bi-Te和Zn-Te薄膜。也提供了形成含Se薄膜的ALD法，所述含Se薄膜如Sb-Se、Ge-Se、Ge-Sb-Se、Bi-Se和Zn-Se薄膜。优选使用式(Te，Se)(SiR1R2R3)2的Te和Se前体，其中R1、R2和R3是烷基基团。也提供了合成这些Te和Se前体的方法。也提供了在相变存储器设备中应用Te和Se薄膜的方法。

主权项

在反应室中的基底上形成含Te或Se的薄膜的原子层沉积(ALD)方法，所述方法包括多个沉积循环，每一循环包括：向所述反应室中提供第一蒸气相反应物的脉冲，以便在所述基底上形成不超过约单分子层的所述第一反应物；从所述反应室去除过量的第一反应物；向所述反应室提供第二蒸气相Te或Se反应物的脉冲，以使所述第二蒸气相反应物与所述基底上的所述第一反应物反应，形成含Te或Se的薄膜，其中所述Te或Se反应物是Te(SiR1R2R3)2或Se(SiR1R2R3)2，其中R1、R2和R3是具有一个或更多个碳原子的烷基基团；以及如果存在过量的第二反应物和反应副产物，则从所述反应室去除它们。