[发明专利]光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备无效
| 申请号： | 200980124545.0 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102077327A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 晓义·陈;毛治刚;大卫·可尼科;迈克尔·葛莱柏根;达林·比文斯;马达威·钱德拉胡德;易卜拉欣·伊布拉赫姆;阿杰伊·库马尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备。本发明的实施例包括用于在光掩模等离子体蚀刻之后原位室干法清洁的方法。在一个实施例中，该方法包括：将光掩模放置在支撑底座上；将处理气体引入处理室中；由处理气体形成等离子体；在存在等离子体的情况下蚀刻设置在光掩模上的含铬层；从支撑底座移除光掩模；将伪衬底放置在底座上；以及通过在伪衬底被放置在底座上时使含O2的清洁气体流动通过处理室，来执行原位干法清洁处理。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 等离子体 蚀刻 过程 中的 原位 室干法 清洁 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在光掩模等离子体蚀刻之后的原位室干法清洁的方法，其包括如下步骤：将光掩模放置在支撑底座上；将处理气体引入处理室中；由所述处理气体形成等离子体；在存在等离子体的情况下，蚀刻设置在所述光掩模上的含铬层；从所述支撑底座移除所述光掩模；以及通过在伪衬底被放置在所述支撑底座上时使得含O2的清洁气体流动通过所述处理室，来执行原位干法清洁处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
