[发明专利]薄膜晶体管、半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 200980124788.4 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102077354A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 伊佐敏行;神保安弘;手塚祐朗;大力浩二;宫入秀和;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：覆盖具有绝缘表面的衬底上的栅电极的栅极绝缘层；与所述栅极绝缘层接触的第一半导体层；层叠于所述第一半导体层上的第二半导体层；以及与所述第二半导体层的一部分接触并形成源区和漏区的杂质半导体层，其中所述第二半导体层包括具有NH基或NH2基的非晶半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980124788.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挤压式中药去油制霜机
- 下一篇：用于处理时间相关的测量信号的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
