[发明专利]通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法

摘要

一种制作半导体器件的方法，其包括在下层之上形成第一光刻胶层，将第一光刻胶层图案化为第一光刻胶图案，其中第一光刻胶图案包括位于下层之上的多个间隔开的第一光刻胶特征，以及使用第一光刻胶图案作为掩模蚀刻下层以形成多个第一间隔开的特征。该方法还包括移除第一光刻胶图案，在多个第一间隔开的特征之上形成第二光刻胶层，并且将第二光刻胶层图案化为第二光刻胶图案，其中第二光刻胶图案包括覆盖多个第一间隔开的特征的边缘部分的多个第二光刻胶特征。该方法还包括使用第二光刻胶图案作为掩模蚀刻多个第一间隔开的特征的暴露部分，从而多个第一间隔开的特征的多个间隔开的边缘部分保持不变，并且该方法还包括移除第二光刻胶图案。

主权项

一种制作半导体器件的方法，其包括：在下层之上形成第一光刻胶层；将所述第一光刻胶层图案化为第一光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案包括位于所述下层之上的多个间隔开的第一光刻胶特征；使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述下层以形成多个第一间隔开的特征；移除所述第一光刻胶图案；在所述多个第一间隔开的特征之上形成第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层图案化为第二光刻胶图案，其中所述第二光刻胶图案包括覆盖所述多个第一间隔开的特征的边缘部分的多个第二光刻胶特征；使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述多个第一间隔开的特征的暴露部分，从而所述多个第一间隔开的特征的多个间隔开的边缘部分保持不变；以及移除所述第二光刻胶图案。