[发明专利]流化床反应器系统及减少硅沉积在反应器壁上的方法有效

专利信息
申请号: 200980125275.5 申请日: 2009-06-29
公开(公告)号: CN102083522A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: M·S·库尔卡尼;P·古普塔;B·德维拉帕里;J·伊布拉希姆;V·雷万卡尔;K·福利 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: B01J8/18 分类号: B01J8/18;C01B33/029;C01B33/03
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 马江立;秘凤华
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 流化床反应器的气体分布单元构造为将可热分解的化合物引向反应器的中心部分并远离反应器壁,以便防止材料沉积到反应器壁上,并且,用于在反应器中生产多晶硅产品的方法减少了沉积在反应器壁上的硅的量。
搜索关键词: 流化床 反应器 系统 减少 沉积 壁上 方法
【主权项】:
一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法,该反应器包括反应室和分布器,所述分布器用于将气体均匀地分布到反应室中,所述反应室包括至少一个反应室壁,所述分布器包括提供气体源和反应室之间的流体连通的多个分布开口,所述多个分布开口包括至少一个周边开口和至少一个中心开口,所述方法包括:将运载气体和可热分解的硅化合物从气体源经由分布器的分布开口进给并送到反应室中,其中,在经由周边开口进给的气体中的运载气体的浓度超过经由中心开口进给的气体中的运载气体的浓度,以便减少沉积在反应器壁上的硅的量;和使硅粒子在反应室中与可热分解的硅化合物接触,以使硅沉积到硅粒子上并增加粒度。
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