[发明专利]配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置无效
| 申请号： | 200980125535.9 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102077323A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 川上信之;福间信也;三木绫;越智元隆;森田晋也;横田嘉宏;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种配线结构，其在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层与所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu‑Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si相结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
