[发明专利]基于隧道效应的三栅极或多栅极器件无效

专利信息
申请号: 200980125867.7 申请日: 2009-06-19
公开(公告)号: CN102084511A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: H.科尔斯泰特 申请(专利权)人: 于利奇研究中心有限公司
主分类号: H01L39/22 分类号: H01L39/22;H01L49/00;H01L29/76;H01L43/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;李家麟
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 介绍一种基于量子力学隧道效应的三栅极或多栅极器件。该器件包括衬底上的被电子可隧穿的间隙(A)间隔开的至少两个隧道电极(Ia,Ib)。该器件一般具有用于给所述间隙施加如下电场的装置:该电场垂直于所述隧道电极之间隧道电流的方向且平行于衬底。这样的电场对隧穿概率产生高度的减弱,并且因此对要控制的隧道电流产生高度的减弱。这样的器件譬如可以用作非常快速的具有大增益的晶体管,并且在此不必为半导电的。
搜索关键词: 基于 隧道 效应 栅极 器件
【主权项】:
一种三栅极或多栅极器件,包括衬底上的被电子可隧穿的间隙间隔开的至少两个隧道电极,其特征在于,该器件具有用于给所述间隙施加如下电场的装置,该电场使得在所述隧道电极之间隧穿的电子的路径由于通过该场的偏转而被延长。
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