[发明专利]制造AlxGa(1-x)N单晶的方法、AlxGa(1-x)N单晶和光学透镜无效
| 申请号： | 200980125962.7 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102084040A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/06;G02B1/02;G02B3/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 al sub ga 方法 光学 透镜 | ||
【主权项】：
一种制造AlxGa(1‑x)N单晶(10)的方法，所述AlxGa(1‑x)N(0＜x≤1)单晶(10，12)是通过升华法生长的，所述方法包括下述步骤：准备底部衬底(11)，准备高纯度原料(17)，以及通过升华所述原料(17)而在所述底部衬底(11)上生长所述AlxGa(1‑x)N单晶(10，12)。
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