[发明专利]薄膜电池正极的制造方法和薄膜电池的制造方法有效
| 申请号： | 200980126242.2 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102084520B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 古谷龙也;高原克典;守冈宏之;佐飞裕一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴孟秋,梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电池的制造方法，该方法包括以下步骤制膜步骤，通过使用正极材料形成膜，从而形成正极活性物质膜(83)；退火步骤，退火所述正极活性物质膜(83)；锂离子引入步骤，在所述退火步骤之后，向所述正极活性物质膜(83)引入锂离子(87)；以及反溅射步骤，在引入锂离子(87)之后，通过反溅射对所述正极活性物质膜(83)修边。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 正极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电池正极的制造方法，包括：制膜步骤，形成正极材料的膜，从而形成正极活性物质膜；退火步骤，退火所述正极活性物质膜；以及锂离子引入步骤，在所述退火步骤之后，通过将所述正极活性物质膜和锂金属板以彼此面向的方式放入电解液中并向所述锂金属板施加预定电压以使锂离子从所述锂金属板引入所述正极活性物质膜中。
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