[发明专利]氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法无效

专利信息
申请号: 200980126562.8 申请日: 2009-06-23
公开(公告)号: CN102089256A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 佐藤和幸;小井土由将 申请(专利权)人: JX日矿日石金属株式会社
主分类号: C04B35/00 分类号: C04B35/00;C04B35/50;C23C14/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种氧化物烧结体,包含镧和铪的复合氧化物,其特征在于,烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。本发明提供一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法,其特征在于,使用La2(CO3)3粉末和HfO2粉末作为原料粉末,以Hf与La的组成摩尔比为1~1.2的方式进行配合并混合后,将该混合粉末在大气中进行加热合成,然后将该合成材料粉碎得到粉末后,将该合成粉末进行热压而得到烧结体。金属镧快速地与氧结合而崩解,另外氧化镧与水分结合形成氢氧化物而变为粉末状,因此存在均难以长期保存,即使制成溅射靶,也不能实际应用的问题。鉴于此,本发明提供包含镧(La)和铪(Hf)的氧化物的稳定的含La氧化物烧结体,并提供特别适合形成High-k栅绝缘膜的含La氧化物溅射靶。
搜索关键词: 氧化物 烧结 包含 溅射 制造 方法
【主权项】:
一种氧化物烧结体,包含镧和铪的复合氧化物,其特征在于,烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。
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