[发明专利]太阳能电池以及太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 200980127147.4 | 申请日: | 2009-05-11 |
公开(公告)号: | CN102089856A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 普里特帕尔·辛格 | 申请(专利权)人: | 维拉诺瓦大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;王申 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种多结光伏电池,包括至少两个彼此串联电连接的P-N结。各个P-N结都包含P型吸收层和N型发射层,各个P型吸收层都包括多个碲化锌和碲化铅的交替薄膜层,其中碲化锌和碲化铅在堆厚度中时具有各自的带隙,且各个P型吸收层的有效带隙位于各自的带隙之间,至少一个P型吸收层的有效带隙不同于至少另一个P型吸收层的有效带隙。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种多结光伏电池,包括:至少两个彼此串联电连接的P‑N结,每个P‑N结都包含P型吸收层和N型发射层,每个所述P型吸收层都包括多个碲化锌和碲化铅的交替薄膜层,其中碲化锌和碲化铅具有在堆厚度中时的各自的带隙,且各个所述P型吸收层的有效带隙位于所述各自的带隙之间;其中至少一个吸收层的有效带隙不同于至少另一个吸收层的有效带隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维拉诺瓦大学,未经维拉诺瓦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980127147.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造