[发明专利]用于防止不饱和有机硅化合物聚合的方法无效

专利信息
申请号: 200980127236.9 申请日: 2009-07-07
公开(公告)号: CN102089315A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 沃尔夫冈·齐切;福尔克尔·斯坦耶克 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C07F7/18 分类号: C07F7/18;C07F7/08;C07F7/20
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李丙林;张英
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明的目的是一种在制备或处理通式(1)的不饱和有机硅化合物(S)时防止聚合的方法:H2C=C(R1)[C(O)O]w(O)x-(R2)y-Si(R3)z(OR4)3-z(1),其中R1、R2、R3、R4、w、x、y和z具有权利要求1所指出的定义,其中制备或处理的至少一个步骤是在技术系统(A)中进行的,其与有机硅化合物(S)接触的表面由至少70%的无铁材料制成,其中当材料包含按重量计少于1%的铁时则确定为无铁的,且技术系统(A)是具有至少200L填充体积的用于间歇工艺的系统或具有至少15L/h通过量的用于连续工艺的系统。
搜索关键词: 用于 防止 不饱和 有机硅 化合物 聚合 方法
【主权项】:
一种在制备或处理通式(1)的不饱和有机硅化合物(S)时防止聚合的方法,H2C=C(R1)[C(O)O]w(O)x‑(R2)y‑Si(R3)z(OR4)3‑z    (1)其中R1是氢原子或具有1‑10个碳原子的直链或支链烃基,R2是具有1‑40个碳原子并且可以包含一个或更多个选自元素氮、氧、硫和磷的杂原子的直链或支链烃基,R3和R4是具有1‑10个碳原子的直链或支链烃基,w可以是0或1,x可以是0或1,y可以是0或1,以及z可以是0、1或2,其中w和x必须不同时是1,其中,所述制备或处理的至少一个步骤是在工业装置(A)中进行的,所述工业装置(A)与所述有机硅化合物(S)接触的表面包括至少70%的无铁材料,其中当材料包含按重量计少于1%的铁时被规定为无铁,并且所述工业装置(A)是具有至少200L填充体积的用于间歇工艺的装置或具有至少15L/h通过量的用于连续工艺的装置。
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