[发明专利]正型放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法无效
| 申请号： | 200980127664.1 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102099749A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 庵野祐亮;藤原考一;杉浦诚;若松刚史 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;C08F220/28;G03F7/039;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 左嘉勋;顾晋伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供正型放射线敏感性组合物，其可用于包含进行二次曝光作为规定工序的抗蚀图案形成方法，所述正型放射线敏感性组合物含有(B)具有酸不稳定基团和交联基团的聚合物、(C)放射线敏感性酸产生剂和(D)溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 敏感性 组合 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种正型放射线敏感性组合物，其在抗蚀图案形成方法的工序(1)中使用，所述抗蚀图案形成方法包含：工序(1)，使用第一正型放射线敏感性组合物在基板上形成第一抗蚀图案；工序(2)，通过使所述第一抗蚀图案对光或热钝化，从而使其对第二正型放射线敏感性组合物不溶；和工序(3)，使用所述第二正型放射线敏感性组合物，在形成有所述第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀图案，所述正型放射线敏感性组合物含有(B)具有酸不稳定基团和交联基团的聚合物、(C)放射线敏感性酸产生剂和(D)溶剂。
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