[发明专利]具有改进载流子迁移率的金属氧化物TFT有效
| 申请号： | 200980127697.6 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102099938A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 谢泉隆;俞钢 | 申请（专利权）人： | 思布瑞特有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/24 | 分类号： | H01L35/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谷惠敏;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 与具有金属氧化物活性层的半导体器件相结合地使用的制造方法，所述金属氧化物活性层小于100nm厚，并且上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面。该制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度。所述方法还包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用并通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的一个或两个步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 载流子 迁移率 金属 氧化物 tft | ||
【主权项】：
与具有小于100nm厚的、具有上主表面和下主表面的金属氧化物活性层且所述上主表面和所述下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的半导体器件相结合，一种包括控制界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度的制造方法包括步骤：通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物以及通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用；以及执行控制下层界面中的相互作用以及控制上覆界面中的相互作用中的一个，所述控制下层界面中的相互作用是通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来进行的，所述控制上覆界面中的相互作用是通过在金属氧化物层上沉积材料之前执行的金属氧化物膜的表面处理来进行的。
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