[发明专利]在从多液态前体沉积的多孔低k薄膜和阻障层间提升黏着性的方法

摘要

在此提出处理基板的方法，其中第一有机硅前体、第二有机硅前体、成孔剂和氧源供应至处理腔室。第一有机硅前体包含整体而言碳含量较低的化合物。第二有机硅前体包含碳含量较高的化合物。成孔剂包含碳氢化合物。施加RF功率以沉积膜层至基板上，并调整各种反应物气流的流速以改变部分沉积膜的碳含量。在一实施例中，沉积膜的起始部分具低碳含量，因而类似氧化物，后继部分则具高碳含量，而类似碳氧化物。另一实施例的特征在于没有类似氧化物的起始部分。后续处理将于膜的高碳含量部分内产生细孔。

主权项

一种处理基板的方法，其至少包含：将该基板放到处理腔室内的支撑件上；以第一流速提供第一有机硅前体至该腔室；以第二流速提供第二有机硅前体至该腔室；以第三流速提供碳氢化合物混合物至该腔室；以第四流速提供氧化剂至该腔室；改变该第二有机硅前体的该第二流速至更高流速；改变该氧化剂的该流速至更高流速；以及在处理该基板时的至少一部分时间内，引导该碳氢化合物混合物改道绕过(bypass)该腔室。