[发明专利]制造氧化镓基衬底的方法、发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980128346.7 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102124575A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 文用泰 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造氧化镓基衬底的方法、发光器件及其制造方法。发光器件包括：氧化镓基衬底；氧化镓基衬底上的氮氧化镓基层；氮氧化镓基层上的第一导电类型半导体层；第一导电类型半导体层上的有源层；以及有源层上的第二导电类型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化 衬底 方法 发光 器件 及其 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：氧化镓基衬底；所述氧化镓基衬底上的氮氧化镓基层；所述氮氧化镓基层上的第一导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层上的有源层；以及所述有源层上的第二导电类型半导体层。
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