[发明专利]用于太阳能电池的层系统有效

专利信息
申请号: 200980128365.X 申请日: 2009-05-19
公开(公告)号: CN102099929A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: J·帕尔姆 申请(专利权)人: 法国圣戈班玻璃厂有限公司
主分类号: H01L31/0336 分类号: H01L31/0336;H01L31/032
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;李家麟
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于薄层太阳能电池和太阳能模块的基于CIS吸收体的层系统(1)。根据本发明的层系统(1)具有由In2(S1-x,Sex)3+δ制成的缓冲层(4),其中有0≤x≤1和-1≤δ≤1成立。此外第一缓冲层(5)被构造为非晶的。利用该缓冲层(5)克服了迄今为止常用的CdS缓冲体的缺点、即毒性和不良的工艺结合,其中除了高效率以外同时还实现高度的长时间稳定性,并且因此进而不存在从常规缓冲层到CdS替换缓冲层的缺点。
搜索关键词: 用于 太阳能电池 系统
【主权项】:
一种用于薄层太阳能电池、太阳能模块等等的层系统(1),该层系统(1)包括吸收层(4)和第一缓冲层(5),其中吸收层(4)基于Cu(In,Ga)(S1‑y,Sey)2化合物半导体材料形成,其中0≤y≤1成立,其特征在于,第一缓冲层(5)包括In2(S1‑x,Sex)3+δ,其中有0≤x≤1和‑1≤δ≤1成立,其中第一缓冲层(5)是非晶的。
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