[发明专利]具有允许在制造工艺期间进行电性测量的包括芯片内部电性测试结构的半导体装置无效
| 申请号： | 200980129559.1 | 申请日： | 2009-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102105982A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | M·格里贝格尔;M·莱尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 精密半导体装置的管芯区域(210)内可设置测试结构或者暂时作为测试结构的电路元件，同时为了避免过度消耗昂贵的管芯面积，探针垫片(241A、241B)可位在框架(230)中。可通过包含经埋藏部分(245A、246A)的导电路径(245、246)建立该测试结构与该探针垫片(241A、241B)之间的电性连接，该电性连接在管芯密封(220)的下方自该管芯区域(210)延伸进入该框架，藉此维持该管芯密封(220)的电性与力学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 允许 制造 工艺 期间 进行 测量 包括 芯片 内部 测试 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：管芯区域(210)，包括金属化系统与形成在衬底(201)上方的半导体区域(202)；多个电路元件(242)，形成在该半导体区域(202)中及上方；管芯密封区域(220)，形成在该金属化系统中；以及导电路径(245、246)，连接至该多个电路元件并且包括形成在部分该管芯密封区域(220)下方的经埋藏部分(245A、246A)。
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