[发明专利]用于制备半导体发光装置的支撑衬底和使用支撑衬底的半导体发光装置有效
| 申请号： | 200980130052.8 | 申请日： | 2009-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102106006A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 成泰连 | 申请（专利权）人： | 高丽大学校 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/30 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制备采用多层发光结构薄膜的半导体发光装置的支撑衬底，以及采用用于制备半导体发光装置的支撑衬底制备半导体发光装置的方法。所述用于制备半导体发光装置的支撑衬底通过在选定支撑衬底上相继层叠牺牲层、散热层和粘结层形成。一种采用用于制备半导体发光装置的支撑衬底制备半导体发光装置的方法包括：制备第一晶片，其中在初始衬底的上方部分上层叠/生长半导体多层发光结构；制备第二晶片，它是用于制备半导体发光装置的支撑衬底；将第二晶片粘结在第一晶片的上方部分上；从粘结产物上分离第一晶片的初始衬底；在与初始衬底分离的第一晶片的上方部分上形成第一欧姆接触电极后，执行钝化；并通过切割钝化产物制备单个芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 半导体 发光 装置 支撑 衬底 使用 | ||
【主权项】：
一种用于制备半导体发光装置的支撑衬底，包括：由电绝缘材料形成的选定支撑衬底；通过层叠在所述选定支撑衬底的上方部分上而形成的牺牲层；由具有高导热和导电性的金属、合金或者固溶体形成且形成于所述牺牲层的上方部分上的散热层；和通过层叠在所述散热层的上方部分上而形成的粘结层，其中，所述支撑衬底用作垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底。
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