[发明专利]无错位结晶板的制造方法及其装置有效
申请号: | 200980130088.6 | 申请日: | 2009-06-05 |
公开(公告)号: | CN102113095A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 彼德·L·凯勒曼;法兰克·辛克莱;菲德梨克·卡尔森;尼可拉斯·P·T·贝特曼;罗伯特·J·米歇尔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L31/042 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板,且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下,所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下,所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段,以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。 | ||
搜索关键词: | 错位 结晶 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种自熔体形成板的方法,包括:使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板,所述板具有错位;相对于所述冷却平板而输送所述板,藉此所述错位迁移至所述板的边缘;以及随着所述板相对于所述冷却平板而输送,藉由改变所述冷却平板的参数来使所述板增加至第二宽度,所述第二宽度大于所述第一宽度,所述板在所述第二宽度处不具有所述错位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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