[发明专利]对刻蚀后的半导体结构的钝化

摘要

本发明涉及半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个第一材料层；在第一材料层上形成待图案化的至少一个第二材料层；在至少一个第二材料层与至少一个第一材料层之间形成扩散阻挡层，由此形成多层堆叠；以及对至少一个第二材料层向下进行图案化特别是刻蚀，但不完全穿透扩散阻挡层并且不露出至少一个第一材料层中的多个部分，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个第一材料层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。本发明还涉及一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供包括形成在第二材料层下方的至少一个掩埋层的多层堆叠；对多层堆叠的表面进行图案化特别是刻蚀，穿透第二材料层，由此露出至少一个掩埋层的多个部分；至少在至少一个掩埋层的露出的部分上沉积扩散阻挡层，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个掩埋层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。

主权项

一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个第一材料层；在所述第一材料层上形成待图案化的至少一个第二材料层；在所述至少一个第二材料层与所述至少一个第一材料层之间形成扩散阻挡层，由此形成多层堆叠；以及对所述至少一个第二材料层向下进行图案化，特别是刻蚀，但不完全穿透所述扩散阻挡层并且不露出部分的所述至少一个第一材料层，使得基本上防止在对所述多层堆叠进行后续热处理期间所述至少一个第一材料层的材料穿过所述扩散阻挡层进行扩散。