[发明专利]应变层的松弛有效
| 申请号： | 200980130308.5 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102113102A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 法布里斯·勒泰特;卡洛斯·马祖拉;迈克尔·R·卡梅斯;梅尔文·B·麦克劳林;内森·F·加的纳 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/20;H01L33/00;H01L33/32;B01J3/06;B01J3/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;王凯 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在所述应变材料层上淀积包括第一柔性材料的第一低粘度层；在所述应变材料层上淀积包括第二柔性材料的第二低粘度层，以形成第一夹层结构；以及使所述第一夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 松弛 | ||
【主权项】：
一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在所述应变材料层的一面上淀积第一低粘度层；在所述应变材料层的另一面上淀积第二低粘度层，以形成第一夹层结构；以及使所述第一夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
