[发明专利]用于电气电子部件的铜合金材料及其制造方法无效
| 申请号： | 200980130311.7 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102112639A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 三原邦照;松尾亮佑;江口立彦 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;H01B1/02;H01B13/00;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于电气电子部件的铜合金材料，其具有以下组成：含有0.5～2.0质量％的Co(钴)、0.1～0.5质量％的Si(硅元素)，剩余部分由Cu(铜)和不可避免的杂质组成；其中，母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，由Co和Si组成的析出物的粒子直径为5～50nm，所述析出物的密度为1×108～1×1010个/mm2，并且作为铜合金材料的抗拉强度为550MPa以上，导电率为50％IACS以上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电气 电子 部件 铜合金 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于电气电子部件的铜合金材料，其具有以下组成：分别含有0.5～2.0质量％的Co(钴)、0.1～0.5质量％的Si(硅元素)，剩余部分由Cu(铜)和不可避免的杂质组成；其中，母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，由Co和Si组成的析出物的粒子直径为5～50nm，所述析出物的密度为1×108～1×1010个/mm2，并且作为铜合金材料的抗拉强度为550MPa以上，导电率为50％IACS以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980130311.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种聚乳酸-非晶磷酸钙复合纳米纤维材料的制备方法
- 下一篇：一种畜猪配合饲料
