[发明专利]离子源清洁方法及其装置无效
申请号: | 200980130611.5 | 申请日: | 2009-06-18 |
公开(公告)号: | CN102113094A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 科斯特尔·拜洛;奎格·R·钱尼;艾利克·R·科布;本雄·具;威尔汉·P·普拉托 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在离子源腔室的清洁过程中,定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时,所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合,以便调整所述腔室内的气压,从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率,以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。 | ||
搜索关键词: | 离子源 清洁 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种离子植入器,包括:离子源腔室,其具有内表面以及经由其而提取离子射束的孔,所述源腔室经组态而接收清洁气体,以便自所述内表面移除沉积物;电极,其定位于所述离子源腔室外部且接近所述孔,所述电极具有至少一槽,所述槽提供提取路径以供所述离子射束离开所述源腔室孔;以及抑制插塞,其安置于所述电极上但远离所述槽,所述电极经组态而相对于所述离子源孔位移,其中当所述电极处于第一位置时,所述抑制插塞允许所述离子射束经由未受抑制的所述槽而被提取,且当所述电极处于第二位置时,所述抑制插塞至少部分地抑制所述离子射束自所述源腔室孔的提取,从而增加所述腔室内的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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