[发明专利]SOI芯片的制造方法及SOI芯片有效
| 申请号： | 200980131333.5 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102119435A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冈哲史;桑原登 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种SOI芯片的制造方法，在该SOI芯片的BOX层上具有SOI层，在该SOI层上，使外延层成长而将SOI层增厚，其中，使用SOI芯片来使外延成长，该使所述外延层成长的SOI芯片的在800～1300纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为20％以上40％以下。由此，能提供一种高质量的SOI芯片及其制造方法，该SOI芯片的生产性良好、低成本、滑移位错等较少，且该SOI芯片是使外延层成长而将SOI层增厚而成的。 | ||
| 搜索关键词： | soi 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI芯片的制造方法，在该SOI芯片的BOX层上具有SOI层，在该SOI层上，使外延层成长而将该SOI层增厚，其特征在于，使用SOI芯片来外延成长，该使所述外延层成长的SOI芯片的在800～1300纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为20％以上40％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
