[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980131779.8 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102124579A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例涉及一种半导体发光器件及其制造方法。根据该实施例的半导体发光器件包括：第二电极层；发光结构，该发光结构位于所述第二电极层下方并包括多个化合物半导体层；至少一个划分凹槽，该至少一个划分凹槽将所述发光结构的下部各层的内侧区域划分为多个区域；以及第一电极，该第一电极位于所述发光结构下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：第二电极层；发光结构，所述发光结构位于所述第二电极层下方，包括多个化合物半导体层；至少一个划分凹槽，所述至少一个划分凹槽将所述发光结构的下部各层的内侧区域划分为多个区域；以及第一电极，所述第一电极位于所述发光结构下方。
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