[发明专利]碳基纳米结构的层-层组装及其在储能和产能装置中的应用无效
| 申请号： | 200980131862.5 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102171870A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 邵阳;李承祐;薮内直明;保拉·T·哈蒙德-坎宁安 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/04;H01M4/1393;B05D1/00;H01L31/00;H01M4/36;H01M4/86;H01M4/92;H01M10/0525;H01M10/052;H01G9/155 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述的实施方案一般性地涉及与碳基纳米结构和相关结构的层-层组装和/或官能化相关的方法、组合物、制品和装置。在一些实施方案中，本发明提供在表面(10)上形成碳基纳米结构(14，18)组合件的方法。所述碳基纳米结构组合件可以表现出增强的性质，例如改善的碳基纳米结构(例如碳纳米管)的排列和/或增强的电子和/或离子电导率和/或其他有用特征。在一些情况下，由于官能团附着于碳基纳米结构的表面，可以观察到改善的性质。使用本文所述的方法可以控制碳基纳米结构组合件的形成，来产生具有增强性质的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 组装 及其 产能 装置 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种形成电极的方法，包括：提供包含碳基纳米结构的第一流体，所述第一流体中的碳基纳米结构包含带正电的官能团；提供包含碳基纳米结构的第二流体，所述第二流体中的碳基纳米结构包含带负电的官能团；将基底表面的第一部分暴露于所述第一流体，并且贴近所述基底表面的第一部分沉积第一组碳基纳米结构；和单独地将与所述基底表面的第一部分可相同或不同的所述基底表面的第二部分暴露于所述第二流体，并且贴近所述基底表面的第二部分沉积第二组碳基纳米结构。
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