[发明专利]半导体光转换构造无效
| 申请号： | 200980132156.2 | 申请日： | 2009-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102124582A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·A·哈斯;张俊颖;托马斯·J·米勒 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体光转换构造。所述半导体光转换构造包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分。第一半导体层在第二波长下具有最大第一折射率。第二半导体层在第二波长下具有大于最大第一折射率的第二折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 转换 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体光转换构造，包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分，所述第一半导体层在所述第二波长下具有最大第一折射率，所述第二半导体层在所述第二波长下具有大于所述最大第一折射率的第二折射率。
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