[发明专利]磁场检测元件及信号传递元件有效
申请号: | 200980132270.5 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102132168A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 今谷浩史;山元政昭;仲真美子;金田安司;白川究 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社;财团法人电气磁气材料研究所 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种磁场检测元件及信号传递元件,为提高具有由磁致电阻效果材料构成的磁致电阻效果部(10a)、和连接配设于磁致电阻效果部(10a)的两侧且向磁致电阻效果部(10a)供给磁通的由软磁性材料构成的一对磁轭部(11a、12a)的磁场检测元件(7a)的线形性,设置由软磁性材料构成的旁通部(13a),该旁通部感应在磁轭部(11a、12a)产生的磁通的一部分,使磁致电阻效果部(10a)迂回,以比磁轭部(11a、12a)更低的磁场强度使磁通饱和。 | ||
搜索关键词: | 磁场 检测 元件 信号 传递 | ||
【主权项】:
一种磁场检测元件,其特征在于,具有:磁致电阻效果部,其由磁致电阻效果材料构成;一对磁轭部,其由软磁性材料构成,电连接地配设于所述磁致电阻效果部的两侧,向所述磁致电阻效果部供给磁通;旁通部,其由软磁性材料构成,感应在所述磁轭部产生的磁通的一部分,使所述磁致电阻效果部迂回,以比所述磁轭部更低的磁场强度使磁通饱和。
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