[发明专利]具有*基的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明提供一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其可形成可作为硬掩模使用、可作为防反射膜使用、与抗蚀剂膜不发生混合、比抗蚀剂膜干蚀刻速度大的抗蚀剂下层膜。提供了一种膜形成用组合物，含有具有基的硅烷化合物，该具有基的硅烷化合物是分子内具有基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物。膜形成用组合物是光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。该组合物含有具有基的硅烷化合物和不具有基的硅烷化合物，在该硅烷化合物全体中具有基的硅烷化合物以小于1摩尔％、例如0.01～0.95摩尔％的比例存在。水解性有机硅烷以式(1)表示。还提供了将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烘烤，从而得到的抗蚀剂下层膜。R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式(1)。

主权项

1.一种膜形成用组合物，含有具有基的硅烷化合物，该具有基的硅烷化合物是分子内具有基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物。