[发明专利]任选地在第二碳源存在下由硅氧化物和碳化硅反应制备硅无效
| 申请号： | 200980132424.0 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102123944A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | J·E·朗;H·劳勒德尔;E·米 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C01B33/025;C01B33/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过在高温下将硅氧化物、碳化硅以及任选地加入反应混合物中的第二碳源反应以制备硅的方法。本发明还涉及一种能够用于所公开方法的组合物。本发明的核心部分在于在制备硅或者在约等摩尔量制备硅中使用碳化硅作为反应引发剂和/或反应促进剂。 | ||
| 搜索关键词： | 任选 第二 碳源 在下 氧化物 碳化硅 反应 制备 | ||
【主权项】：
一种通过在高温下转化硅氧化物以制备硅的方法，其特征在于：将碳化硅加入硅氧化物中，或者在包括硅氧化物的组合物中加入碳化硅。
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