[发明专利]磁阻元件及其制造方法、用于该制造方法的存储介质无效
| 申请号： | 200980132854.2 | 申请日： | 2009-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102132434A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 栗林正树;大卫·朱利安托·贾亚普拉维拉 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;C23C14/34;H01F10/32;H01F41/18;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了与以往相比具有更高MR比的磁阻元件。所述磁阻元件具有结晶性第一强磁性材料层、隧道阻碍层、结晶性第二强磁性材料层，这三层均具有由柱状晶的集合体形成的多晶结构，隧道阻碍层由含B原子与Mg原子且B原子含量为30原子％以下的金属氧化物层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 及其 制造 方法 用于 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种磁阻元件，其特征在于，具有：衬底；位于所述衬底侧的结晶性第一强磁性材料层；位于所述结晶性第一强磁性材料层上的、具有含B原子和Mg原子的金属氧化物的晶体结构的隧道阻碍层；以及位于所述隧道阻碍层上的结晶性第二强磁性材料层。
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