[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980133120.6 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102132427A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 曹贤敬;朴京根;黄盛珉 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。发光器件包括：第二电极层；第二电极层上的第三导电半导体层，该第三导电半导体层包括肖特基接触区域和欧姆接触区域；第三导电半导体层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一导电半导体层；以及第一导电半导体层上的第一电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第二电极层；所述第二电极层上的第三导电半导体层，所述第三导电半导体层包括肖特基接触区域和欧姆接触区域；所述第三导电半导体层上的第二导电半导体层；所述第二导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第一导电半导体层；以及所述第一导电半导体层上的第一电极层。
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