[发明专利]光电转换装置的制法、光电转换装置及其制造系统无效
| 申请号： | 200980133228.5 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102132418A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 内田宽人;藤长徹志;植喜信;齐藤一也;中村久三 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该光电转换装置的制造方法中，在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，将构成所述第二光电转换单元(4)的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制法 及其 制造 系统 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元的第一p型半导体层、第一i 型半导体层和第一n型半导体层以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元的第二p型半导体层，将所述第二p型半导体层暴露在大气气氛中，将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层和第二n型半导体层形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二p型半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
