[发明专利]双极型半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980133246.3 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102132388A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 根来佑树;堀内明彦;岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;前山雄介;佐藤雅;清水正章 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/329;H01L29/73;H01L29/80 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低双极型晶体管的表面态(即表面能级)密度、提高其电流增幅率，从而提高晶体管的性能的双极型半导体装置。双极型半导体装置(100)的半导体元件表面具有表面保护膜(30)，该表面保护膜由在半导体元件表面上形成的热氧化膜(31)和在热氧化膜上形成的堆积氧化膜(32)构成。所述堆积氧化膜中包含的氢元素或氮元素中，至少有一种在1018cm-3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体元件的表面上具有表面保护膜的双极型半导体装置，其特征在于：所述表面保护膜具有积层结构，该积层结构由在所述半导体元件的所述表面上形成的热氧化膜，及形成于所述热氧化膜上的堆积氧化膜所构成，所述堆积氧化膜所含的氢元素和氮元素中，至少有一种的含量在1018cm‑3以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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