[发明专利]EUV光刻设备中污染物质的检测有效
| 申请号： | 200980133665.7 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102138105A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·克劳斯;德克·H·埃姆;斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01J49/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种EUV曝光设备(1)，包括：包围内部(15)的壳体(1a)，布置在所述内部(15)中的至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)。所述残余气体分析仪(18a)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21)。本发明还涉及用于通过EUV光刻设备(1)的残余气体环境的残余气体分析而检测至少一种污染物质的方法，所述EUV光刻设备(1)具有带有内部(15)的壳体(1a)，在所述内部(15)中，至少布置了一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其中，所述污染物质(17a)被储存在储存装置(21)中，以便执行所述残余气体分析。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 设备 污染 物质 检测 | ||
【主权项】：
EUV曝光设备(1)，包括：壳体(1a)，其包围内部(15)，至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其布置在所述内部(15)中，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)，其特征在于所述残余气体分析仪(18a、18b)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21、21a；31、31a、31b)。
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