[发明专利]具有不同材料的栅极结构的功率MOSFET有效
| 申请号： | 200980133735.9 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102138217A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | D·法姆;B-Y·恩古云 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一导电类型和第一掺杂浓度的半导体层。第一导电类型的被用作漏极的第一半导体区域具有比半导体层低的掺杂浓度并在半导体层之上。栅极电介质(109)在第一半导体区域之上。栅极电介质之上的栅电极(405)具有包含金属的中心部分(407)和在中心部分的相对侧的第一和第二硅部分(401、403)。第二导电类型的被用作沟道的第二半导体区域具有在第一硅部分和栅极电介质下面的第一部分。第一导电类型的被用作源极的第三半导体区域横向地邻近于第二半导体区域的第一部分。取代硅的包含金属的中心部分增加源极至漏极击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 材料 栅极 结构 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型和第一掺杂浓度的半导体层；在所述半导体层的第一部分之上的第一半导体区域，其中，所述第一半导体区域是第一导电类型并具有小于所述第一掺杂浓度的掺杂浓度；在所述第一半导体区域的顶面上的栅极电介质；在所述栅极电介质上的栅电极，其中，所述栅电极包括在所述栅极电介质上的包含金属的中心部分、在所述栅极电介质上的与所述中心部分的第一侧横向地相邻的第一硅部分和在所述栅极电介质上的与所述中心部分的第二侧横向地相邻的第二硅部分，其中，所述第一侧与所述第二侧相反；第二半导体区域，其包括在所述第一硅部分和所述栅极电介质下面的第一部分，其中，所述第二半导体区域是不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及第三半导体区域，其与所述第二半导体区域的所述第一部分横向地相邻，其中，所述第三半导体区域是第一导电类型。
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