[发明专利]光学器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980133815.4 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102138215A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 佐野光;中野高宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0232;H04N5/225;H04N5/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种光学器件及其制造方法，能防止由透光性基板的外周端面上的反射光引起的噪声的发生，并且，可以提高透光性基板的光学性有效区域的占有率。本发明的光学器件具备：形成有受光元件(2)的半导体基板(1)；及在半导体基板(1)的上方覆盖受光元件(2)而配置、并通过粘接剂层(5)固定在半导体基板(1)的透光性基板(4)；透光性基板(4)在其外周端面具有从上表面朝向下表面扩展而倾斜的弯曲面。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光学器件，其特征在于，具备：半导体基板，形成有光学元件；及透光性基板，覆盖上述光学元件而设置在上述半导体基板的上方；上述透光性基板在外周端面具有从上表面朝向下表面扩展而倾斜的弯曲面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
