[发明专利]提高光萃取率的倒置型发光二极管结构有效
| 申请号： | 200980133959.X | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102138231A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 古拉姆·汉士奈因 | 申请（专利权）人： | 普瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 董惠石 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种光源(30)及其制造方法。该光源(30)包括一基板及一发光结构。该基板(24)具有一第一表面及一第二表面，该第二表面包括相对于该基板的该第一表面的一弯曲凸面(39)。该发光结构包括一第一导电型材料第一层(21)位于该第一表面上方；一活化层(22)位于该第一层上方，当电洞与电子在该活化层中复合时该活化层产生光；及一第二层(23)包含一第二导电型材料，该第二层具有位于该活化层上方的一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面。一镜面层(25)位于该发光结构上方。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 萃取 倒置 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种元件，其特征在于，其包括：一基板，具有一第一表面及一第二表面，该第二表面包含相对于该基板的该第一表面的一弯曲凸面；一第一层，位于该第一表面上方，该第一层包含一第一导电型材料；一活化层，位于该第一层上方，当电洞与电子在该活化层中复合时该活化层产生光；及一第二层，包含一第二导电型材料，该第二层具有位于该活化层上方的一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面，该基板被该活化层产生的光透过。
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