[发明专利]制程套组屏蔽件及其使用方法有效
| 申请号： | 200980133993.7 | 申请日： | 2009-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102138198A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·F·萨默斯;基斯·A·米勒 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了一种用于制程腔室中的制程套组屏蔽件以及该制程套组屏蔽件的使用方法。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可包含具有壁的主体，该壁包含第一层以及与该第一层结合的第二层，其中，第一层包含第一材料，该第一材料能抵抗用来移除在制程过程中沉积在第一层上的材料的化学清洁剂，并且其中，第二层包含第二材料，第二材料与第一材料不相同并且具有与该第一材料基本相似的热膨胀系数。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可以被设置在具有处理容积和非处理容积的制程腔室中。该制程套组屏蔽件可以被设置在处理容积和非处理容积之间。 | ||
| 搜索关键词： | 制程套组 屏蔽 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种制程套组屏蔽件，包含：主体，所述主体具有壁，所述壁包含第一层和与所述第一层结合的第二层，其中，所述第一层包含第一材料，所述第一材料能抵抗用来移除在制程过程中沉积在所述第一层上的材料的化学清洁剂，并且其中，所述第二层包含第二材料，所述第二材料与所述第一材料不相同并且所述第二材料具有与所述第一材料基本相似的热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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