[发明专利]用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法无效
| 申请号： | 200980134039.X | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102138220A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | S·贝纳格利;D·博雷洛;E·瓦拉特-索瓦因;J·迈尔;U·克罗尔 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/075;H01L31/20;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过用于制造p-i-n结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有p型微晶硅层、p型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的n型硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 降低 衰退 器件 淀积非晶硅膜 改进 稳定 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种在具有导电接触的衬底上形成薄膜光伏器件的方法，包括：形成p‑i‑n结半导体层堆叠，包括：形成p型微晶硅层；形成p型非晶硅层；形成缓冲硅层；形成本征型非晶硅层；在本征型非晶硅层上形成n型硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)，未经欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980134039.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
