[发明专利]制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底有效
| 申请号： | 200980134190.3 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102137960A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 荒川聪;宫永伦正;樱田隆;山本喜之;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;B24B1/00;C30B33/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氮化物衬底(10)的方法，包括以下步骤：生长氮化物晶体(22)；以及从所述氮化物晶体(22)切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)，其中，在所述的切割的步骤中，切割所述氮化物衬底(10)以使得在与所述前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。
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