[发明专利]静电吸盘装置和基片的吸附状态判断方法无效
| 申请号： | 200980134448.X | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102144285A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 藤泽博 | 申请（专利权）人： | 创意科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有能够迅速且正确地把握基片的吸附状态的吸附判断单元的静电吸盘装置，并提供能够迅速且正确地把握静电吸盘装置中的基片的吸附状态的基片的吸附状态判断方法。该静电吸盘装置在金属基盘的上表面侧具有吸附基片的静电吸盘，其特征在于：具有用来判断基片的吸附状态的吸附判断单元。该基片的吸附状态判断方法是在静电吸盘装置中判断基片的吸附状态的方法，该静电吸盘装置在金属基盘的上表面侧具有吸附基片的静电吸盘，其特征在于：利用热流束传感器得到通过静电吸盘传递的来自基片的热流，从而判断基片的吸附状态。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 装置 吸附 状态 判断 方法 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘装置，在金属基盘的上表面侧具有吸附基片的静电吸盘，其特征在于：具有用来判断基片的吸附状态的吸附判断单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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